Память изменчивой формы заменит флешки

Китайскими учеными создан новый экологически чистый сплав для электроники. 50 атомов алюминия связаны с 50 атомами сурьмы. Этот сплав потенциально может быть использован в модулях энергонезависимой компьютерной памяти нового поколения «с переменной фазой» («phase-change»).

Согласно публикации в научном журнале Applied Physics Letters, на который ссылается сетевой вестник науки e! Science News, данная технология может найти применение в грядущих накопителях информации.

Память «с переменной фазой» может прийти на смену получившей повсеместное распространение флеш-памяти, основанной на следующих принципах.

Память «с переменной фазой» основана на материалах, которые способны менять форму. Под воздействием электрического импульса они из бесформенных становятся кристаллическими. Такой материал в своем аморфном состоянии обладает высоким электрическим сопротивлением и низким сопротивлением в кристаллическом состоянии. Эти два состояния соответствуют «1» и «0» в двоичной системе.

Флеш-память не слишком подходит для менее чем 20-нанометровых модулей, в то время как модули памяти «с переменной фазой» могут быть менее чем 10-нанометровыми. Это позволит разместить больше емкости памяти на меньшем пространстве.

Представитель Шанхайского института микросистем и информационных технологий Академии Наук Китая Ксилин Жоу отмечает:

Это наиболее важная особенность данного типа памяти.

Он добавляет, что данные очень быстро записываются в память «с переменной фазой» и ее модули будут сравнительно недорого стоить.

До сих пор самыми используемыми в производстве памяти такого типа были составы, содержащие германий, сурьму и теллур. Но необходимость сочетать три элемента усложняла работу над перспективной памятью «с переменной фазой».

Ксилин Жоу поясняет характер сложностей, с которыми исследователи сталкивались ранее, до создания нового сплава:

Сложно контролировать процесс производства памяти «с переменной фазой» на основе тройного сплава, в который традиционно входили германий, сурьма и теллур. Травление и очистка материала халькогенами могла изменить его состав по причине движения атомов теллура.

Ксилин Жоу со своими коллегами сумели свести состав материала всего к двум элементам: алюминию и сурьме. Ими были изучены способности материала менять форму. Данный состав более теплостойкий, чем сплав германия, сурьмы и теллура. Сплав Al50Sb50 обладает тремя уровнями сопротивления. Это дает возможность сохранить три бита данных (а не два) в одной ячейке памяти такого типа. Это позволит использовать данный материал в производстве многоуровневых накопителей информации.